DRAM記憶體市況淡季穩中帶堅,繼512Mb與1Gb DDRII有效測試顆粒(eTT)報價分別站穩1美元與2美元後,昨(12)日出爐的2月下旬合約價也同步走揚,漲幅在3%以上,這也是DRAM合約價自去年12月下旬觸及歷史低點後,連二個月彈升,象徵DRAM走出谷底,反彈的態勢確立,有助南科、力晶等晶片製造商走出去年大虧的陰霾。

DRAM業者表示,DRAM價格現在只是「暖身小漲」,一旦業界所有8吋廠因不符效益退出標準型記憶體製造行列,市場將出現供給缺口;記憶體業者陸續放慢擴產腳步後,第二季起DRAM價格上漲力道將更強。

南科透露,終端市場需求目前並不差,已有客戶陸續來談下半年訂單,是市況好轉的訊號,下半年更可能出現供給吃緊狀況;隨微軟新版Vista作業系統刺激每台個人電腦提高DRAM搭載容量,預期1Gb DDRII顆粒價格可望回升至2.5至3美元。

不過,DRAM報價雖上揚,卻無助DRAM類股走勢,昨天在台股大跌中全面走低,茂矽更被殺到跌停板價的17.8元收盤。

根據集邦科技(DRAMeX-change)報價,2月下旬DRAM合約價持續反彈,512Mb與1Gb DDRII顆粒報價漲幅都在3%以上,最高漲幅逾3.5%,其中512Mb顆粒均價為0.94美元,1Gb顆粒均價為1.88美元,是近兩個月來最高。

集邦表示,DRAM合約價走揚,主要是現貨價彈升,拉大與合約價價差,DRAM廠不願再低價銷貨所致。DRAM合約價大漲,也帶動模組報價止跌回穩,1GB模組漲幅超過3%,均價18美元;2GB模組均價則維持平盤42美元。

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